详细摘要： 双极电光相位调制器可以实现对光信号相位进行两级连续调制，具有高集成度、低插入损耗、高调制带宽、低半波电压、高损伤光功率等特点，主要用于高速光通信系统中光啁啾控制...
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北京康冠世纪光电科技有限公司
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详细摘要： 双极电光相位调制器可以实现对光信号相位进行两级连续调制，具有高集成度、低插入损耗、高调制带宽、低半波电压、高损伤光功率等特点，主要用于高速光通信系统中光啁啾控制...
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详细摘要： KG-IDPM系列LiNbO3偏振无关相位调制器采用*的钛扩散工艺，可以同时实现对两个偏振态的调制，同时具有低插入损耗、低半波电压、高损伤光功率等特点，主要用于...
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详细摘要： KG-AM系列850nm铌酸锂电光强度调制器采用*的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、铯原子时间基准、脉冲发生...
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详细摘要： 铌酸锂电光相位调制器具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压、高损伤光功率等特点，主要用于高速光通信系统中光啁啾控制，相干通信系统中的相移，ROF系统中边带的产生...
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详细摘要： 铌酸锂电光相位调制器具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压、高损伤光功率等特点，主要用于高速光通信系统中光啁啾控制，相干通信系统中的相移，ROF系统中边带的产生...
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详细摘要： 铌酸锂低速电光相位调制器具有低插入损耗、低半波电压、高损伤光功率等特点，主要用于激光锁频，光学相控阵、激光相干合成以及ROF系统中边带的产生以及减小模拟光纤通信...
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详细摘要： KG-PM系列2000nm铌酸锂电光相位调制器采用*的钛扩散工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、激光相干、光谱展宽、干涉...
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详细摘要： 超低半波电压铌酸锂电光相位调制器具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压（2.4V）、高损伤光功率等特点，主要用于高速光通信系统中光啁啾控制，相干通信系统中的相移...
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详细摘要： 铌酸锂多功能集成光学器件(LiNbO3 MIOC)采用微电子工艺在光学级铌酸锂晶片上制作波导和电极，输入输出光纤与波导精密斜耦合，芯片封装在镀金可伐外壳中，器件...
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详细摘要： 基于M-Z推挽结构的LiNbO3电光强度调制器具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，且器件具有较高的响应速率，KG-AM-15系列是针对1550nm波段设计的...
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详细摘要： KG-AM系列1064nm双M-Z串联强度调制器采用*的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，双MZ结构可以获得更高的开关消光比，主要用于...
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详细摘要： KG-AM-HER系列高消光比电光强度调制器基于M-Z推挽结构，具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，采用特制工艺保证了器件具有高的DC消光比，且器件具有较高...
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详细摘要： KG-PM系列1064nm铌酸锂电光相位调制器采用*的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、相干合成、光谱展宽、干...
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详细摘要： KG-PM系列1064nm铌酸锂电光相位调制器采用*的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、相干合成、光谱展宽、干...
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详细摘要： KG-ABC-IQ系列自动偏置点控制器一款用于铌酸锂IQ调制器自动偏置点控制器。能够用于QPSK、QAM、OFDM、SSB等调制格式系统中。自动偏置点控制器既可...
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详细摘要： KG-ABC-MZ系列自动偏置点控制器是一款用于铌酸锂M-Z调制器自动偏置点控制器。能够用于控制一个M-Z强度调制器偏置点：点、点、正交点（线性区）；适合于光纤...
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详细摘要： KG-PM系列850nm铌酸锂电光相位调制器采用*的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、铯原子时间基准、光谱展宽...
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详细摘要： KG-DMZM系列双级强度调制器采用高度集成级联M-Z结构，可以实现两级强度调制，获得大于50dB的开关消光比，同时具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点...
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详细摘要： 基于M-Z推挽结构的LiNbO3电光强度调制器具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，且器件具有较高的响应速率，因而被广泛的应用于光通信系统、光调Q系统、量子密...
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详细摘要： KG-PM系列780nm铌酸锂电光相位调制器采用*的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、铯原子时间基准、光谱展宽...
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